STB150NF55T4 — силовой MOSFET или IGBT STM

Характеристики

Корпус	TO-263
Дата производства	1447+

Описание

Силовой транзистор STMicroelectronics (MOSFET/IGBT) в корпусе TO-220 / D²PAK / TO-247. Импульсные преобразователи, моторика.

New stock list

Документация

Техническое описание (datasheet) STB150NF55T4
PDF

Сопутствующие товары

Infineon

BTT6050-1EKA — верхний силовой ключ (High-Side Switch) Infineon

В наличии

Цена по запросу Запросить цену

Fuji Electric

2MBI200U4H-120-50 — силовой IGBT-модуль Fuji Electric

В наличии

Цена по запросу Запросить цену

Infineon

IRG7IC28U — дискретный IGBT-транзистор Infineon

В наличии

Цена по запросу Запросить цену

Toshiba / NEC / Sanken (JIS)

2SA1797 — биполярный транзистор Toshiba / NEC / Sanken (JIS)

В наличии

Цена по запросу Запросить цену

Поможем с оплатой и доставкой из Китая

Оплата поставщикам в Китай

Оплачиваем счёт за вашу компанию, документы для бухгалтерии. Сумма в юанях × курс дня + 20%.

Подробнее →

Доставка грузов из Китая

Выкуп, проверка, таможня и доставка до склада. От 5 $ за кг, срок 5–35 дней.

Подробнее →