Fuji Electric
5SY5102-7 — силовой IGBT-модуль Fuji Electric
В наличии
Цена по запросу Запросить цену
IPB042N10N3 G IC — силовой MOSFET / IGBT Infineon
Артикул: IPB042N10N3 G IC Бренд: Infineon Серия: MOSFET-дискретные
Характеристики
| Корпус | TO-263 |
| Дата производства | 2117+ |
Описание
Infineon (Int. Rectifier) серии IR/IRL/IPB/IPD/IPI/IPP/IPW — силовые MOSFET и IGBT для импульсных источников питания, моторики, бытовой техники.
New stock list
Документация
Техническое описание (datasheet) IPB042N10N3 G ICСопутствующие товары
Infineon
BTT6050-1EKA — верхний силовой ключ (High-Side Switch) Infineon
В наличии
Цена по запросу Запросить цену
Fuji Electric
2MBI200U4H-120-50 — силовой IGBT-модуль Fuji Electric
В наличии
Цена по запросу Запросить цену
Toshiba / NEC / Sanken (JIS)
2SA1797 — биполярный транзистор Toshiba / NEC / Sanken (JIS)
В наличии
Цена по запросу Запросить цену